BCW60 数据手册 - Infineon（英飞凌）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 380~630 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 550mV/0.55V 耗散功率PcPower Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| NPN Silicon AF Transistors For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 Hz and 15 kHz Complementary types: BCW61, BCX71 (PNP) 描述与应用| NPN硅晶体管自动对焦 对于AF输入级和驱动器应用 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压 低噪音30 Hz和15千赫之间 互补类型：BCW61，BCX71（PNP）