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IPD200N15N3G
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IPD200N15N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:DPAK-252
描述:150V,50A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPD200N15N3G 数据手册 (12 页)
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焊盘图
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IPD200N15N3G 数据手册 (12 页)
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IPD200N15N3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装DPAK-252
极性N-Channel
功耗150 W
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)1820pF @75V(Vds)
下降时间6 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150000 mW
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IPD200N15N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IPD200N15N3G 数据手册

IPD200N15N3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.97 MByte

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