类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 250 mW |
直流电流增益(hFE) | 630 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 380~630 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 32 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流(最大100 mA) •低电压(最大32 V)。 应用 •通用开关和放大
Infineon(英飞凌)
BCW61 PNP三极管 -32V -100mA/-0.1A 250MHz 120~630 -200mV/-0.2V SOT-23/SC-59 marking/标记 SB1 驱动器
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BCW61 BA SOT-23 120-220
Infineon(英飞凌)
PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
Nexperia(安世)
晶体管 双极-射频, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 630 hFE
NXP(恩智浦)
NXP BCW61D 晶体管 双极-射频, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 630 hFE 新
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