| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 2 Position |
| 漏源极电阻 | 0.065 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 上升时间 | 15.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1597pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 下降时间 | 8.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.15 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.36 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.82 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
10 页 / 0.75 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB30NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB30NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道650 V， 0.125 I© ， 22 A， MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK ， TO- 220FP ， I²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh⢠V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道24V - 120A - TO- 220 / D2PAK的STripFET TM功率MOSFET N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
