| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 4.00 A |
| 封装 | TO-126-3 |
| 额定功率 | 40 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 40 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 4A |
| 最小电流放大倍数 | 750 @1.5A, 3V |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 直流电流增益(hFE) | 750 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 8 mm |
| 宽度 | 3.25 mm |
| 高度 | 11 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
复合 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild（飞兆/仙童）
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ST Microelectronics（意法半导体）
NPN 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
ON Semiconductor（安森美）
达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON
Multicomp
MULTICOMP BD681 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
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