类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-223 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
集电极最大允许电流 | 3A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 60MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 20 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage | −700mV/-0.7V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1.35W Description & Applications | PNP medium power transistor FEATURES • High current (max. 3 A) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose medium power applications. 描述与应用 | PNP中等功率晶体管 特点 •高电流(最大3 A) •低电压(最大45 V)。 应用 •通用中等功率应用
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件