Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > NXP（恩智浦） > BFG35,115 Datasheet 文档
BFG35,115
来自 AiPCBA

BFG35,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:双极性晶体管
封装:TO-261-4
描述:NXP  BFG35,115  晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE
PDF文件:BFG35,115 数据手册 (14 页)引脚图在2 页Hot
封装尺寸在11 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BFG35,115 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BFG35,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率4000 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-261-4
针脚数3 Position
极性NPN
功耗1 W
击穿电压(集电极-发射极)18 V
最小电流放大倍数25 @100mA, 10V
额定功率(Max)1 W
直流电流增益(hFE)70
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)1000 mW
查看数据手册 >

BFG35,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.7 mm
宽度3.7 mm
高度1.7 mm
工作温度175℃ (TJ)
查看数据手册 >

BFG35,115 数据手册

BFG35,115 数据手册
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.27 MByte
BFG35,115 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
18 页 / 0.28 MByte
BFG35,115 开发手册
NXP（恩智浦）
45 页 / 0.31 MByte
BFG35,115 产品修订记录
NXP（恩智浦）
3 页 / 0.21 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet