类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -2.90 A |
封装 | SOT-223 |
极性 | P-Channel |
输入电容 | 875 pF |
栅电荷 | 33.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.90 A |
上升时间 | 9 ns |
输入电容值(Ciss) | 875pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.8 W |
下降时间 | 7 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1800 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613PH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSP613P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSP613P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
60V,-2.9A,0.13Ω,P沟道MOSFET
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