| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SMD-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 功耗 | 185 mW |
| 输入电容 | 0.45 pF |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 2.8 V |
| 增益 | 21dB ~ 10dB |
| 最小电流放大倍数 | 110 @50mA, 1.5V |
| 额定功率(Max) | 185 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 110 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 185 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.4 mm |
| 宽度 | 0.8 mm |
| 高度 | 0.55 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
SiGe 射频双极晶体管，Infineon
●来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
Infineon（英飞凌）
Infineon BFP620FH7764XTSA1 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=7.5 V, HFE:110, 4引脚 TSFP封装
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