| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 195.3 W |
| 阈值电压 | 3.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 22.4A |
| 上升时间 | 7.6 ns |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.13 mm |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 高度 | 21.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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晶体管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V
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Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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