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BFP650H6327
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BFP650H6327 技术参数、封装参数

BFP650H6327 外形尺寸、物理参数、其它

BFP650H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
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BFP650 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP650H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP650FH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 110 hFE
Infineon(英飞凌)
高线性度的硅锗双极RF晶体管 High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 650 H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
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NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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