| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 最小电流放大倍数 | 70 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 0 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 580 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 80mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 8Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 580mW/0.58W Description & Applications| NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz For linear broadband amplifiers T = 8 GHz F = 1.3 dB at 900 MHz 描述与应用| NPN硅RF晶体管 低噪声，高增益放大器高达2 GHz 对于线性宽带放大器 T = 8 GHz F = 1.3 dB at 900 MHz
Infineon（英飞凌）
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