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BFR193E6327HTSA1
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BFR193E6327HTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:INFINEON  BFR193E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
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BFR193E6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率8000 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)12.0 V
额定电流65.0 mA
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
极性NPN
功耗580 mW
输入电容2.25 pF
击穿电压(集电极-发射极)12 V
增益10dB ~ 15dB
最小电流放大倍数70 @30mA, 8V
额定功率(Max)580 mW
直流电流增益(hFE)70
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)580 mW
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BFR193E6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度1 mm
工作温度150℃ (TJ)
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BFR193E6327HTSA1 数据手册

BFR193E6327HTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.61 MByte
BFR193E6327HTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
BFR193E6327HTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.03 MByte
BFR193E6327HTSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

BFR193E6327 数据手册

BFR193E6327 数据手册
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BFR 193 E6327 数据手册
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INFINEON  BFR 193 E6327  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
BFR193 E6327 数据手册
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BFR193E6327HTSA1 数据手册
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INFINEON  BFR193E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
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