BFS520 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 20mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 9Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 9 GHz wideband transistor FEATURES High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability SOT323 envelope. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT323 envelope. 描述与应用| NPN9 GHz的宽带晶体管 特点 高功率增益 低噪声系数 高转换频率 黄金金属确保卓越的可靠性 SOT323信封。 说明 NPN晶体管在一个塑料SOT323信封。