| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | D2PAK |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 120A |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
IPB015N04L 系列 40 V 1.5 mOhm N沟道 OptiMOS™3 功率-晶体管 - PG-TO-263-3
Infineon（英飞凌）
IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀
Infineon（英飞凌）
的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor
Infineon（英飞凌）
IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀
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