| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 功耗 | 450 mW |
| 输入电容 | 0.84 pF |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
| 增益 | 12.5 dB |
| 最小电流放大倍数 | 60 @10mA, 8V |
| 额定功率(Max) | 450 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 450 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NPN 12 V 11 GHz 18 dB 450 mW 宽带 RF 晶体管 - SOT-23-3
NXP（恩智浦）
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE
NXP（恩智浦）
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 95 hFE
NXP（恩智浦）
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 95 hFE
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