| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -600 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 350 mW |
| 增益频宽积 | 200 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.6A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 50 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | -60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -0.6A/-600MA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHZ 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 50~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -1.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 350MW/0.35W Description & Applications | PNP Epitaxial Silicon Transistor. 描述与应用 | PNP外延硅晶体管。
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2907. 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
National Semiconductor（美国国家半导体）
Micro Commercial Components（美微科）
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