类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | TDSON-8 |
针脚数 | 8 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 139 W |
阈值电压 | 2 V |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 38A |
上升时间 | 12 ns |
反向恢复时间 | 36 ns |
正向电压(Max) | 1 V |
输入电容值(Ciss) | 6800pF @20V(Vds) |
下降时间 | 9 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 139 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.1 mm |
宽度 | 5.35 mm |
高度 | 1.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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INFINEON BSC010N04LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSC010N04LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
40V,100A,1.05mΩ,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
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