| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 255 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 18 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 255 W |
| 阈值电压 | 4.5 V |
| 输入电容 | 5.52 nF |
| 栅电荷 | 69.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 5522pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 255 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 175 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 255000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP3651U 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4.5 V
ON Semiconductor（安森美）
FDP3651U 系列 100 V 18 mOhm N 沟道 PowerTrench® Mosfet - TO-220AB-3
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