| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TDSON-8 |
| 额定功率 | 139 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 139 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6800pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.1 mm |
| 宽度 | 5.35 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET
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INFINEON BSC010N04LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
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INFINEON BSC010N04LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 2 V
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40V,100A,1.05mΩ,N沟道功率MOSFET
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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
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场效应管(MOSFET) BSC010N04LSCATMA1 -
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