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STL130N6F7
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STL130N6F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:PowerSMD-8
描述:N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻，降低了内部电容和栅极电荷，提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STL130N6F7 数据手册 (13 页)
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STL130N6F7 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerSMD-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.003 Ω
极性N-CH
功耗125 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)130A
上升时间44 ns
输入电容值(Ciss)2600pF @25V(Vds)
下降时间24 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)4.8W (Ta), 125W (Tc)
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STL130N6F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.15 mm
宽度5.2 mm
高度0.95 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STL130N6F7 数据手册

STL130N6F7 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.26 MByte
STL130N6F7 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.55 MByte
STL130N6F7 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
3 页 / 0.11 MByte

STL130N6 数据手册

STL130N6F7 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻，降低了内部电容和栅极电荷，提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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