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BSC032N04LSATMA1
来自 AiPCBA

BSC032N04LSATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V
PDF文件:BSC032N04LSATMA1 数据手册 (13 页)
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BSC032N04LSATMA1 数据手册 (13 页)
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BSC032N04LSATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8
额定功率52 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0025 Ω
极性N-CH
功耗52 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)21A
上升时间4 ns
输入电容值(Ciss)1800pF @20V(Vds)
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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BSC032N04LSATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSC032N04LSATMA1 数据手册

BSC032N04LSATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.42 MByte
BSC032N04LSATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC032N04LSATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSC032N04LSATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC032N04 数据手册

BSC032N04LSATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V
BSC032N04LS 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 40V 21A
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