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BSC036NE7NS3G
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BSC036NE7NS3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:75V,100A,3.6mΩ,N沟道MOSFET
PDF文件:BSC036NE7NS3G 数据手册 (9 页)
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焊盘图
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BSC036NE7NS3G 数据手册 (9 页)
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BSC036NE7NS3G 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8
极性N-Channel
功耗2.5 W
上升时间18 ns
输入电容值(Ciss)4400pF @37.5V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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BSC036NE7NS3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
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BSC036NE7NS3G 数据手册

BSC036NE7NS3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.57 MByte

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