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BSC0504NSIATMA1
来自 AiPCBA

BSC0504NSIATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:BSC0504NSI 系列 30 V 72 A 3.7 mOhm 表面贴装 N-沟道 SuperSO8 OptiMOS™ 5
PDF文件:BSC0504NSIATMA1 数据手册 (13 页)
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BSC0504NSIATMA1 数据手册 (13 页)
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BSC0504NSIATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8
额定功率30 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.004 Ω
极性N-CH
功耗2.5 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)21A
上升时间3 ns
输入电容值(Ciss)960pF @15V(Vds)
下降时间2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Ta), 30W (Tc)
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BSC0504NSIATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSC0504NSIATMA1 数据手册

BSC0504NSIATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.53 MByte
BSC0504NSIATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC0504NSIATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
BSC0504NSIATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSC0504 数据手册

BSC0504NSIATMA1 数据手册
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场效应管(MOSFET) BSC0504NSI TDSON-8-EP(5x6)
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