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NVR5198NLT1G
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NVR5198NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NVR5198NLT1G  MOSFET Transistor, AEC-Q101, N Channel, 2.2 A, 60 V, 0.107 ohm, 10 V, 2.5 V 新
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NVR5198NLT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
漏源极电阻0.107 Ω
极性N-Channel
功耗1.5 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)182pF @25V(Vds)
下降时间2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)900mW (Ta)
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NVR5198NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NVR5198NLT1G 数据手册

NVR5198NLT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.24 MByte
NVR5198NLT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
26 页 / 0.29 MByte
NVR5198NLT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.2 MByte

NVR5198NLT1 数据手册

NVR5198NLT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NVR5198NLT1G  MOSFET Transistor, AEC-Q101, N Channel, 2.2 A, 60 V, 0.107 ohm, 10 V, 2.5 V 新
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