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BSC0909NS
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BSC0909NS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8
描述:30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:BSC0909NS 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页9 页
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焊盘图
引脚图
产品图
BSC0909NS 数据手册 (10 页)
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BSC0909NS 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8
通道数1 Channel
漏源极电阻7.7 mΩ
极性N-Channel
功耗2.5 W
漏源极电压(Vds)34 V
漏源击穿电压34 V
连续漏极电流(Ids)12A
上升时间4.4 ns
输入电容值(Ciss)1110pF @15V(Vds)
额定功率(Max)27 W
下降时间5.4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Ta), 27W (Tc)
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BSC0909NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSC0909NS 数据手册

BSC0909NS 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.59 MByte
BSC0909NS 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC0909NS 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
BSC0909NS 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 34 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2 V
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Infineon（英飞凌）
30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET
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