| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0018 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 395 W |
| 阈值电压 | 3.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 265A |
| 输入电容值(Ciss) | 14885pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 395 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 395W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.54 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB024N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.5 V
ON Semiconductor（安森美）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB024N04AL7 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB024N08BL7, 229 A, Vds=80 V, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
