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BSC096N10LS5ATMA1 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
封装:
TDSON
描述:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, 表面安装
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSC096N10LS5ATMA1 数据手册
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BSC096N10LS5ATMA1 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
TDSON
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.008 Ω
功耗
83 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
3.5 ns
输入电容值(Ciss)
1600pF @50V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW
BSC096N10LS5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
BSC096N10LS5ATMA1 符合标准
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示例:
STM32F103
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