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IPT020N10N5ATMA1
来自 AiPCBA

IPT020N10N5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:HSOF
描述:功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, 表面安装
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焊盘图
引脚图
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IPT020N10N5ATMA1 数据手册 (2 页)
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IPT020N10N5ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
封装HSOF
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0016 Ω
功耗273 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)100 V
工作温度(Max)175 ℃

IPT020N10N5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active

IPT020N10N5ATMA1 数据手册

IPT020N10N5ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.2 MByte

IPT020N10N5 数据手册

IPT020N10N5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, 表面安装
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