| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 额定功率 | 0.5 W |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.27 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 550 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | ±20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.88A |
| 上升时间 | 2.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 55pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 下降时间 | 0.9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
●Infineon
● OptiMOS™2
● N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。
●OptiMOS 2
● 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.42 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
19 页 / 0.88 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSD840N H6327 场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 0.88A, SOT-363-6
Infineon（英飞凌）
20V,400mΩ,0.88A,双N沟道小信号MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSD840NH6327XTSA1 场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 0.88A, SOT-363-6
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