| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 5.40 A |
| 封装 | Micro-8 |
| 额定功率 | 1.3 W |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.03 Ω |
| 极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
| 功耗 | 1.3 W |
| 零部件系列 | IRF7530 |
| 阈值电压 | 1.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.40 A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1310pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 3 mm |
| 高度 | 0.86 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
双 N 通道功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N 通道配置。
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON） = 0.030ohm ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7530TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V 新
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