| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -4.70 A |
| 封装 | TSOP-6-6 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 67 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 2 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.70 A |
| 上升时间 | 13.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 654pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 23.3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.5 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | ±12V 最大漏极电流IdDrain Current | -4.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 94mΩ~114mΩ@ VGS=-2.5V, ID=-3.7A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.6v~-1.2v 耗散功率PdPower Dissipation | Description & Applications |
● OptiMOS -P Small-Signal-Transistor.
● P-Channel.
● Enhancement mode.
● Super Logic Level (2.5 V rated).
● 150°C operating temperature.
● Avalanche rated.
● dv/dt rated. 描述与应用 |
● OptiMOS-P小信号晶体管。
● P-通道。
● 增强模式。
● 超级逻辑电平（2.5 V额定）。
● 150°C的工作温度。
● 额定雪崩。
● dv / dt的评级。
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的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
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P-Channel 20 V 67 mOhm OptiMOS甋mall-Signal-Transistor-P-TSOP6-6
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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INFINEON BSL211SP L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -900 mV
Infineon（英飞凌）
20V,67mΩ,-4.7A,P沟道小信号MOSFET
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