| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 650 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.25 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 192 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1500pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 192 W |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 192W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-247-3
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO-247 PowerMESH MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 900 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道700V - 0.25W - 20A TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-CHANNEL 700V - 0.25W - 20A TO-247 Zener-Protected SuperMESH TM Power MOSFET
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