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BSL606SNH6327XTSA1
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BSL606SNH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TSOP-6-6
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.049 ohm, 10 V, 1.8 V
PDF文件:BSL606SNH6327XTSA1 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
产品图
BSL606SNH6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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BSL606SNH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOP-6-6
额定功率2 W
针脚数6 Position
漏源极电阻0.049 Ω
极性N-Channel
功耗2 W
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)4.5A
上升时间3 ns
输入电容值(Ciss)657pF @25V(Vds)
下降时间3.1 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2W (Ta)
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BSL606SNH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSL606SNH6327XTSA1 数据手册

BSL606SNH6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.45 MByte
BSL606SNH6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSL606SNH6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.45 MByte
BSL606SNH6327XTSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
19 页 / 0.88 MByte
BSL606SNH6327XTSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

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60V,60mΩ,4.5A,N沟道小信号MOSFET
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.049 ohm, 10 V, 1.8 V
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