| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TSDSON-8 |
| 额定功率 | 26 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.005 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 26 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 输入电容 | 670 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12A |
| 上升时间 | 2.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 670pF @12V(Vds) |
| 下降时间 | 1.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2100 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.3 mm |
| 宽度 | 3.3 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
●OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
●N 通道 - 增强模式
●符合汽车 AEC Q101 规格
●MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
●175°C 工作温度
●绿色封装（无铅）
●超低 Rds(on)
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.72 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSZ060NE2LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.005 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSZ060NE2LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.005 ohm, 10 V, 2 V
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