| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | 34MM-1 |
| 功耗 | 700000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 6.5nF @25V |
| 额定功率(Max) | 700 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 700000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not For New Designs |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
Siemens Semiconductor（西门子）
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