| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 引脚数 | 21 Pin |
| 封装 | ECONO-3 |
| 功耗 | 400 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 33nF @25V |
| 额定功率(Max) | 400 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 400000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 长度 | 122 mm |
| 宽度 | 62 mm |
| 高度 | 17 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
143 页 / 8.42 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSM50GD120DN2 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
IGBT的功率模块（电源模块3相全桥包括快速续流二极管封装，带有绝缘金属基板） IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate)
Infineon（英飞凌）
IGBT的功率模块（电源模块3相全桥包括快速续流二极管） IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK
Siemens Semiconductor（西门子）
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