类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电压(DC) | -20.0 V |
额定电流 | -14.9 A |
封装 | SO-8 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 8 mΩ |
极性 | P-CH |
功耗 | 2.5 W |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 14.9A |
上升时间 | 39.7 ns |
输入电容值(Ciss) | 5962pF @15V(Vds) |
下降时间 | 127 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2500 mW |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.9 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.75 mm |
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BSO201SP 系列 20 V 8 mOhm P沟道 OptiMOS® 功率 晶体管- PG-DSO-8
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INFINEON BSO201SP H 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.0067 ohm, -4.5 V, -900 mV
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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
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