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BSP316PH6327XTSA1
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BSP316PH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-223-4
描述:P-沟道 100 V 0.68 A 1.8 Ω 5.1 nC SipMOS 小信号 晶体管 - SOT-223
PDF文件:BSP316PH6327XTSA1 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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BSP316PH6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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BSP316PH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-223-4
额定功率1.8 W
针脚数4 Position
漏源极电阻1.4 Ω
极性P-CH
功耗1.8 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)0.68A
上升时间7.5 ns
输入电容值(Ciss)146pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.8 W
下降时间25.9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.8W (Ta)
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BSP316PH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSP316PH6327XTSA1 数据手册

BSP316PH6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.39 MByte
BSP316PH6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSP316PH6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSP316PH6327XTSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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100V,1800mΩ,-0.68A,P沟道小信号MOSFET
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Infineon（英飞凌）
P-沟道 100 V 0.68 A 1.8 Ω 5.1 nC SipMOS 小信号 晶体管 - SOT-223
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