类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 64 Pin |
电源电压 | 2.70V (min) |
封装 | FBGA-64 |
存取时间 | 110 ns |
内存容量 | 64000000 B |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
电源电压(Max) | 3.6 V |
电源电压(Min) | 2.7 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Design |
包装方式 | Each |
工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
Spansion(飞索半导体)
82 页 / 0.98 MByte
Spansion(飞索半导体)
80 页 / 2.05 MByte
Spansion(飞索半导体)
1 页 / 0.77 MByte
Spansion(飞索半导体)
SPANSION S29GL512P11TFI010.. 闪存芯片, NOR, 512Kb
Spansion(飞索半导体)
SPANSION S29GL512P11TFI020. 闪存, 512 Mbit, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor (Spansion)### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
Spansion(飞索半导体)
SPANSION S29GL512P11FFI010 闪存, 或非, 512 Mbit, 64M x 8位 / 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, BGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 或非, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位 / 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
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