类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-223 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.07 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.8 W |
阈值电压 | 1.6 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.60 A |
输入电容值(Ciss) | 300pF @25V(Vds) |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.8 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.5 mm |
高度 | 1.6 mm |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.09Ω/Ohm @2.6A,4.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1.2-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.8W Description & Applications| SIPMOS ®Small-Signal-Transistor • N-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • Logic Level • dv/dt rated 描述与应用| SIPMOS®小信号晶体管 •N沟道 •增强模式 •额定雪崩 •逻辑电平 •dv / dt的额定
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Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
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