| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 额定功率 | 0.25 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 最小电流放大倍数 | 220 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 330 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 220~475 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 Hz and 15 kHz Complementary types: BC846, BC847, BC848， BC849, BC850 (NPN) 描述与应用| 对于AF输入级和驱动器应用 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压 30 Hz和15千赫之间的低噪音 互补类型：BC846，BC847，BC848，BC849，BC850（NPN）
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.84 MByte
Infineon（英飞凌）
16 页 / 0.83 MByte
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
NXP（恩智浦）
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors
Multicomp
MULTICOMP BC857 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
Nexperia（安世）
小信号 PNP 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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