| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 42.0 V |
| 额定电流 | 1.40 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电流 | 1.4 A |
| 功耗 | 3800 mW |
| 输出电流(Max) | 1.4 A |
| 输出电流(Min) | 1.4 A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3800 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
电源开关/驱动器 1：1 N 通道 1.4A PG-SOT223-4
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.25 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
Infineon（英飞凌）
HITFET™ 智能低侧电源开关，InfineonHITFET™ 汽车智能低电压端开关系列内置 ESD、过温、短路和过载状况保护。 HITFET 系列具有高达 480 毫欧的开关接通电阻，且可标出 RDSon。诊断或闩锁和重启保护 易于嵌入式更换 ### 电源开关，Infineon
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP762T 智能电源开关, SIPMOS技术, 高压侧, 1路输出, 7A, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
PROFET™ 智能高侧电源开关，单通道，Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关，Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征，如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管，以最小化功耗并保持高效率。
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP76E6433HUMA1 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 7.5A, SOT-223-4
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP76 E6433 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 7.5A, SOT-223-4
Infineon（英飞凌）
电源开关 IC - 配电 HITFET IC PWR SWITCH LOW SIDE 1.4A
Infineon（英飞凌）
智能功率高边开关 Smart Power High-Side-Switch
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
