| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -3.44 A |
| 封装 | PG-DSO-8 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 2.5W (Ta) |
| 输入电容 | 875 pF |
| 栅电荷 | 30.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.44 A |
| 输入电容值(Ciss) | 875pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 60 V 3.44A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
Infineon（英飞凌）
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INFINEON BSO613SPVGHUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.44 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V 新
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Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
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SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
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