类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 56.0 A |
封装 | TO-252-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 50W (Tc) |
零部件系列 | IRFR3707Z |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 56.0 A |
上升时间 | 11 ns |
输入电容值(Ciss) | 1150pF @15V(Vds) |
下降时间 | 3.3 ns |
耗散功率(Max) | 50W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRFR3707ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 V
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