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BSS123LT3G
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BSS123LT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
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BSS123LT3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流170 mA
封装SOT-23-3
漏源极电阻6.00 Ω
极性N-Channel
功耗225mW (Ta)
输入电容20.0 pF
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)170 mA
正向电压(Max)1.3 V
输入电容值(Ciss)20pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)225mW (Ta)
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BSS123LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSS123LT3G 数据手册

BSS123LT3G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
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