| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 3.5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 360 mW |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 230 mA |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 230mA/0.23A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.3Ω/Ohm @30mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.6-1.4V 耗散功率Pd Power Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| SIPMOS ®Small-Signal-Transistor • N-channel • Enhancement mode • Logic level • dv /dt rated 描述与应用| SIPMOS®小信号晶体管 •N沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv / dt的额定
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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ON Semiconductor（安森美）
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS138 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V
SLKOR（韩国萨科微）
类型：N沟道 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：220mA 漏源电压（Vdss）：50V 导通电阻：3.5Ω 功率（Ta=25°C）：400mW
Zetex
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS
Infineon（英飞凌）
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS
Siemens Semiconductor（西门子）
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 J1
National Semiconductor（美国国家半导体）
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