NXP（恩智浦）
晶体管, 射频FET, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S
NXP（恩智浦）
晶体管, 射频FET, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
NXP（恩智浦）
晶体管, 射频FET, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G
NXP（恩智浦）
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
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