类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.23A |
上升时间 | 2.9 ns |
输入电容值(Ciss) | 29pF @25V(Vds) |
下降时间 | 2.9 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 360 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
BSS159 N沟道MOSFET 50V 160mA/0.16A SOT-23/SC-59 marking/标记 SG 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSS159NH6906XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V
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SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSS159N H6327 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 0.23A, SOT-23-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSS159N H6906 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V
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INFINEON BSS159N E6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V
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