类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 2.40 A |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 3.3 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 45 W |
阈值电压 | 3.75 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.40 A |
上升时间 | 14 ns |
输入电容值(Ciss) | 311pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 45 W |
下降时间 | 14 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 45W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V , 3.3 Ω , 2.4 A, DPAK SuperFREDMesh ™功率MOSFET N-channel 600 V, 3.3 Ω, 2.4 A, DPAK SuperFREDMesh™ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 3.3ohm - 2.4A TO- 220 / FP / D2PAK / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 3.3ohm - 2.4A TO- 220 / FP / D2PAK / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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